上海, 2018年3月13日電 /美通社/ -- 中微半導體設備（上海）有限公司（以下簡稱“中微”）在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設備Primo nanova®，用于大批量生產(chǎn)存儲芯片和邏輯芯片的前道工序。該設備采用了中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng)新的功能，以幫助客戶達到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標，例如關(guān)鍵尺寸（CD）刻蝕的精準度、均勻性和重復性等。其創(chuàng)新的設計包括：完全對稱的反應腔，超高的分子泵抽速；獨特的低電容耦合線圈設計和多區(qū)細分溫控靜電吸盤（ESC）。憑借這些特性和其他獨特功能，該設備將為7納米、5納米及更先進的半導體器件刻蝕應用提供比其他同類設備更好的工藝加工能力，和更低的生產(chǎn)成本。

中微Primo nanova®刻蝕機已獲得多家客戶訂單，設備產(chǎn)品已陸續(xù)付運。中微首臺Primo nanova®設備已在客戶生產(chǎn)線上正常運行，良率穩(wěn)定。目前公司正在和更多客戶合作，進行刻蝕評估。在中微提供了一系列電容耦合等離子體刻蝕設備之后，這一電感耦合等離子體刻蝕新設備大大增強了中微的刻蝕產(chǎn)品線，能涵蓋大多數(shù)芯片前段的刻蝕應用。

當今芯片制造所采用的新材料、新的器件結(jié)構(gòu)、雙重模板以至四重模板工藝和其他新的技術(shù)正在推動器件尺度的不斷縮小，這使得芯片的制造越來越復雜。中微開發(fā)Primo nanova® 時，充分考慮了在這種苛刻的加工環(huán)境中，如何使刻蝕達到在晶圓片內(nèi)更好的刻蝕均勻性和實時的控制能力、為芯片制造提供更寬的工藝窗口，以達到客戶日益提高的技術(shù)要求，并實現(xiàn)較低的制造成本。

“Primo nanova®采用了當下先進的等離子體刻蝕技術(shù)，為前沿客戶提供更具創(chuàng)新、更靈活的解決方案。”中微副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品部總經(jīng)理倪圖強博士說道，“該設備不僅能夠用于多種導體刻蝕工藝，比如淺溝槽隔離刻蝕（STI）、多晶硅柵極刻蝕；同時可用于介質(zhì)刻蝕，如間隙壁刻蝕（Spacer Etch）、掩模刻蝕（Mask Etch）、回刻蝕（Etch Back）等，具有業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)率和卓越的晶圓內(nèi)加工性能。這項基于電感耦合等離子體的刻蝕技術(shù)既可以用于刻蝕垂直深孔，也可以用于刻蝕淺錐形輪廓。此外，由于這個設備占地面積小、減少了耗材的使用，有相當大的成本優(yōu)勢。我們非常高興看到客戶已經(jīng)從該設備投入生產(chǎn)中獲益。”

中微第一代電感耦合等離子體刻蝕設備Primo nanova(R)

Primo nanova®的關(guān)鍵技術(shù)特點和競爭優(yōu)勢

Primo nanova®以獨特的四方形主機、可配置六個刻蝕反應腔和兩個除膠反應腔，它具有獨特的技術(shù)創(chuàng)新和極高的生產(chǎn)效率。這些技術(shù)創(chuàng)新點包括：

• 具有自主知識產(chǎn)權(quán)的低電容耦合線圈設計，能夠?qū)﹄x子濃度和離子能量實現(xiàn)有效的獨立控制，這對更高的選擇性和軟刻蝕至關(guān)重要；
• 采用了完全對稱的反應腔設計、多區(qū)細分溫控靜電吸盤和動態(tài)晶圓邊緣耦合控制，從而帶來更好的均勻性。這種設計克服了一直以來在量產(chǎn)中難以解決的晶圓邊緣刻蝕的不均勻性問題；
• 與同類設備相比具有超高的分子泵抽速，以實現(xiàn)更寬的工藝窗口和更精確的形貌控制；
• 具有自主創(chuàng)新的等離子體增強型PVD特種材料的涂層、反應腔內(nèi)壁溫度的精確控制和對反應腔內(nèi)表面狀態(tài)的良好控制，可實現(xiàn)更高的工藝穩(wěn)定性并減少微粒。

倪圖強博士進一步指出：“從客戶的反饋證實， Primo nanova®提供了我們預期達到的晶圓加工能力和生產(chǎn)率，以及具有競爭優(yōu)勢的生產(chǎn)成本。它也是一款多功能的設備，使用最少的配置調(diào)整就可以變換適用于多種加工工藝。”

Primo nanova®是中微公司的注冊商標。