加州山景城2019年5月7日 /美通社/ -- 

新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布為DDR5/4非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMM-P)，推出業(yè)內(nèi)首個(gè)驗(yàn)證IP (VIP)。NVDIMM-P是新一代存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存，面向從數(shù)據(jù)、存儲(chǔ)和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)到實(shí)時(shí)處理的企業(yè)應(yīng)用，在性能、安全性和耐用性上面提出了富有挑戰(zhàn)性的要求，而且擁有內(nèi)存的持久化、可靠性和正常運(yùn)行時(shí)間。新思科技面向NVDIMM-P的VC VIP能夠支持易于使用、進(jìn)行快速集成和擁有最佳操作特性的新一代內(nèi)存設(shè)備的設(shè)計(jì)，從而加速完成驗(yàn)證。

三星內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃和應(yīng)用工程團(tuán)隊(duì)高級(jí)副總裁Jinman Han表示：“三星正在努力開(kāi)發(fā)強(qiáng)大的NVDIMM-P生態(tài)系統(tǒng)，帶來(lái)?yè)碛谐霰姷男阅堋⒊志没湍陀眯缘拇鎯?chǔ)級(jí)內(nèi)存解決方案。通過(guò)與新思科技進(jìn)行新一代內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)的緊密合作，讓我們共同的客戶能夠成功采用最新內(nèi)存解決方案。”

NVDIMM-P是一種“二合一”混合內(nèi)存技術(shù)，既擁有Flash內(nèi)存的非易失性和持久化，又具備DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的速度、性能和耐用性。新思科技面向NVDIMM-P的VC VIP采用新一代本地SystemVerilog通用驗(yàn)證方法學(xué)(UVM)架構(gòu)，支持在現(xiàn)有的驗(yàn)證環(huán)境中輕松進(jìn)行集成，以便加快進(jìn)行首次測(cè)試的速度。面向NVDIMM-P的VC VIP在本地與新思科技的Verdi^® Protocol和Performance Analyzer進(jìn)行集成。這款解決方案還能為加速完成驗(yàn)證，提供內(nèi)置覆蓋和驗(yàn)證計(jì)劃。

新思科技芯片驗(yàn)證事業(yè)部研發(fā)副總裁Vikas Gautam表示：“新思科技為所有現(xiàn)有和新一代技術(shù)提供全面的DRAM和Flash內(nèi)存驗(yàn)證解決方案，包括DDR5、LPDDR5、DFI5.0、HBM3、3DS和MRAM，現(xiàn)在NVDIMM-P也包含其中。通過(guò)與標(biāo)準(zhǔn)化組織和內(nèi)存供應(yīng)商緊密合作，新思科技提供和部署在業(yè)內(nèi)首開(kāi)先河并經(jīng)過(guò)客戶驗(yàn)證的解決方案，支持創(chuàng)造市場(chǎng)新趨勢(shì)的公司迅速采用最新內(nèi)存技術(shù)。”

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新思科技面向DDR5/4 NVDIMM-P的Synopsys VC VIP現(xiàn)在進(jìn)行初步試用。