韓國首爾2023年10月31日 /美通社/ -- 最近，8英寸晶圓代工廠DB HITEK正在升級(jí)超高壓（UHV）電力半導(dǎo)體工藝技術(shù)，并正式推進(jìn)相關(guān)業(yè)務(wù)。
超高壓電力半導(dǎo)體工藝技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括家電、汽車、通信、工業(yè)等，支持設(shè)計(jì)和制造用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市場(chǎng)占電力半導(dǎo)體IC市場(chǎng)的8%，預(yù)計(jì)自2022年至2027年年平均增長(zhǎng)率達(dá)109%，需求有望大幅增加。
DB HITEK采用了以具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的電力半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)，拓展超高壓電力半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，從而提升競(jìng)爭(zhēng)力的戰(zhàn)略。
通過此次工藝技術(shù)升級(jí)，DB HITEK將創(chuàng)造能夠在Gate Driver IC中同時(shí)使用Level-Shifter絕緣方式和Galvanic絕緣方式的環(huán)境。由此，客戶們可以發(fā)揮芯片便于設(shè)計(jì)的Level-Shifter和高壓操作穩(wěn)定性較高的Galvanic絕緣的各自優(yōu)勢(shì)，并且該工藝的應(yīng)用范圍也有望從現(xiàn)有的家電領(lǐng)域擴(kuò)展至汽車、太陽能領(lǐng)域。
今年5月，DB HITEK首度推出了可以應(yīng)用于系統(tǒng)空調(diào)等大功率壓縮機(jī)，且采用寬電壓，便于設(shè)計(jì)的900V級(jí)Level-Shifter。此外，實(shí)現(xiàn)了原本安裝于芯片外部的Bootstrap Diode內(nèi)置自主研發(fā)了縮小體積的技術(shù)，并申請(qǐng)了專利，創(chuàng)造了不同于其他代工廠的Gate Driver IC設(shè)計(jì)環(huán)境。
DB HITEK表示，未來將確保可在矽電半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)的全區(qū)間工藝技術(shù)， 并提供適用于各領(lǐng)域的最佳Gate Driver設(shè)計(jì)環(huán)境。
具體來說，DB HITEK計(jì)劃于2024年1月將在Gate Driver IC市場(chǎng)中占最大比重10%的家電領(lǐng)域提供最佳600V工藝，并于年內(nèi)依次確保用于電動(dòng)滑板車及電動(dòng)踏板車的200V工藝和用于紡織機(jī)及工規(guī)用1200V工藝，提升超高壓電力半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)力。
