上海2024年1月4日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，以應(yīng)對(duì)新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求。

作為內(nèi)存接口技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，瀾起科技在 全球微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC中牽頭制定DDR5 RCD芯片國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，并保持高水平研發(fā)投入，持續(xù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行迭代升級(jí)。自2021年發(fā)布DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片后，瀾起科技又相繼于2022年、2023年成功發(fā)布了DDR5第二子代、第三子代RCD芯片。

通過(guò)不斷升級(jí)打磨產(chǎn)品和技術(shù)，瀾起科技于近期在DDR5第四子代RCD芯片的研發(fā)上再次取得成功，進(jìn)一步鞏固了公司在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。目前，瀾起科技已將DDR5 RCD04工程樣片送樣給主要內(nèi)存廠商，助力客戶進(jìn)行新一代內(nèi)存產(chǎn)品研發(fā)。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示："RCD芯片是內(nèi)存模組的核心組件，是CPU與內(nèi)存之間進(jìn)行數(shù)據(jù)交互的重要通道。隨著人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用飛速發(fā)展，不斷增長(zhǎng)的CPU算力對(duì)內(nèi)存性能的要求日益增長(zhǎng)。瀾起科技最新的DDR5 RCD04芯片可助力服務(wù)器系統(tǒng)突破性能瓶頸，為要求苛刻的工作負(fù)載提供關(guān)鍵支持。"

除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器（DB）、串行檢測(cè)集線器（SPD Hub）、溫度傳感器（TS）、電源管理芯片（PMIC）等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。

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